ACT. Transductores

El efecto piezorresistivo que se presenta en el sensor de presión piezorresistivo, en este tipo de sensores de presión se lleva a cabo mediante el cambio de resis-tencia de una capa sensible (piezorresistores). En 1954 C.S. Smith descubrió que el efecto piezorresistivo es cien veces mayor en los materiales con estructura átomica monocristalina (e. g., silicio y germanio) que en materiales amorfos.La construcción de piezorresistores es generalmente de materiales donde su resis-tencia cambia en función de la deformación, tal es el caso del silicio, el cual es un material comúnmente empleado en este tipo de sensores debido a la propiedad piezorresistiva que presenta.  

La diferencia de presión se mide comúnmen-te por una configuración de puente de Wheatstone. Los sensores de presión convencionales a base de silicio están compuestos de un diafragma y del efecto piezorresistivo como sistema de detección. El sistema de detección se logra mediante la fabricación de piezoresistores de silicio sobre el diafragma con la configuración de un puente de Wheatstone para convertir el cambio de la resistencia debida a la deformación del diafragma, en una señal de voltaje de salida.